CMOS图像传感器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明披露了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，蓝色光电二极管具有更厚的厚度，以改善蓝色光的敏感性。CMOS图像传感器的蓝色光电二极管包括：第一轻掺杂的P－型外延层，形成在重掺杂的P－型半导体衬底上；传输晶体管的栅电极，形成在第一外延层上；第一N－型蓝色光电二极管区，形成在第一外延层上；以及第二N－型蓝色光电二极管区，形成在与第一蓝色光电二极管区相对应的第一外延层上。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819233A
申请号 ：
CN200510135141.5
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩昌勋
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510135141.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599312268
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101351415
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20131227
号牌文件序号 : 101599312268
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101351415
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20131227
2009-08-12 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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