纳米结构有序多孔薄膜型气敏元件及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种纳米结构有序多孔薄膜型气敏元件及其制备方法。元件包括衬底、电极和其上的薄膜，特别是衬底为曲面状，薄膜由球形孔状的金属氧化物构成，其孔径为200～1000nm，薄膜厚度为100～5000nm。方法包括单层胶体晶体模板，步骤为(1)将单层胶体晶体模板浸入浓度为0.1～0.5M的金属氧化物前驱体溶液或溶胶中，待其脱离衬底并漂浮在前驱体溶液或溶胶的表面后，用所需形状带有电极的衬底捞起单层胶体晶体并使其覆盖于衬底表面；(2)先将其置于80～120℃下加热1～2小时，再将其置于200～500℃下烧结2～3小时；(3)重复上述(1)和(2)的步骤0次以上，制得纳米结构有序多孔薄膜型气敏元件。它可广泛地用于环境监测、化学工业等众多领域。

基本信息

专利标题：

纳米结构有序多孔薄膜型气敏元件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1967230A

申请号：

CN200510095606.9

公开（公告）日：

2007-05-23

申请日：

2005-11-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

孙丰强蔡伟平贾丽超曹丙强李越

申请人：

中国科学院合肥物质科学研究院

申请人地址：

230031安徽省合肥市1110信箱

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510095606.9

主分类号：

G01N27/407

IPC分类号：

G01N27/407 G01N27/02 H01L49/00