薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法
被视为撤回的申请
摘要
一种改进了的薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法。这种薄膜型二氧化锡气敏元件的加热膜是二氧化锡膜，该膜内含有一定量的锑，敏感膜也是二氧化锡膜。该气敏元件性能稳定，元件互换性好。并且制造方法简便，工艺重复性好，生产效率高，使用的设备简单，成本低。
基本信息
专利标题 ：
薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100030A
申请号 ：
CN85100030
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张维新徐步华侯曾一
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区七里台
代理机构 ：
天津大学专利代理事务所
代理人 ：
刘志刚
优先权 ：
CN85100030
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02
法律状态
1988-10-19 ：
被视为撤回的申请
1987-02-18 ：
实质审查请求
1986-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
