硅基薄膜厚膜力敏元件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型提供一种要用作应变片或封装补偿制成通用传感器的硅基薄膜厚膜力敏元件。该力敏元件以硅基片为基底，在硅基片上生成绝缘层，在此绝缘层上制作薄膜的或厚膜的并与基底完全绝缘的应变电阻，应变电阻作为连接层遍布金属电极下边。它具有线性好，体积小，响应频率高，使用温区宽，适应性强，封装容易，成本低，使用方便可靠等优点。
基本信息
专利标题 ：
硅基薄膜厚膜力敏元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90210245.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-03-15
授权号 ：
CN2064534U
授权日 ：
1990-10-24
发明人 ：
段祥照
申请人 ：
段祥照
申请人地址 ：
110036辽宁省沈阳市辽宁大学41号信箱半导体研究室
代理机构 ：
沈阳市专利事务所
代理人 ：
刁佩德
优先权 ：
CN90210245.1
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 H01L49/00 G01L9/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
1994-02-02 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-06-19 ：
授权
1990-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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