一种含硼铜基厚膜导体
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种含硼铜基厚膜导体，包括使优先氧化材料B、Al、Zn同Cu合金化，使所得合金与Si、Ai、Ca、Mg、Na、K、Co、Pb、Zn的氧化物混合，加入有机载体以形成浆料，将浆料漏印到陶瓷基片上，并在560～850℃温度范围内和大气中烧成。所制得的厚膜导体具有良好的导电性、抗湿性和较低成本，最佳电阻率≤1.25×10-5Ω·cm，导体可用于微电路端接和多层布线。
基本信息
专利标题 ：
一种含硼铜基厚膜导体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87101846A
申请号 ：
CN87101846.2
公开（公告）日 ：
1988-06-01
申请日 ：
1987-03-07
授权号 ：
CN87101846B
授权日 ：
1988-06-29
发明人 ：
谭富彬赵玲
申请人 ：
中国有色金属工业总公司昆明贵金属研究所
申请人地址 ：
云南省昆明市85信箱
代理机构 ：
云南省专利事务所
代理人 ：
何通培
优先权 ：
CN87101846.2
主分类号 ：
H01B1/02
IPC分类号 ：
H01B1/02 H01L27/01 H05K3/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B1/00
按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择
H01B1/02
主要由金属或合金组成的
法律状态
1995-04-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-03-08 ：
授权
1988-06-29 ：
审定
1988-06-01 ：
公开
1987-09-09 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN87101846B.PDF
PDF下载
2、
CN87101846A.PDF
PDF下载
