厚膜导体形成用组合物
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摘要
本发明目的在于提供一种熔蚀现象少、且不含铅的厚膜导体形成用组合物。为了达到上述目的，使用由导电粉末、氧化物粉末、有机展色料构成的厚膜导体形成用组合物。其中，所述氧化物粉末包含SiO2－B2O3－Al2O3－CaO－Li2O系玻璃粉末和Al2O3粉末。SiO2－B2O3－Al2O3－CaO－Li2O系玻璃粉末的组成比为，SiO2：20～60质量％、B2O3：2～25质量％、Al2O3：2～25质量％、CaO：20～50质量％、以及Li2O：0.1～10质量％，相对于100质量份的导电粉末，SiO2－B2O3－Al2O3－CaO－Li2O系玻璃粉末为0.1～15质量份、Al2O3粉末为0.1～8质量份。
基本信息
专利标题 ：
厚膜导体形成用组合物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822240A
申请号 ：
CN200610006955.3
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川久保胜弘安达良典粟洼慎吾
申请人 ：
住友金属矿山株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
高龙鑫
优先权 ：
CN200610006955.3
主分类号 ：
H01B1/14
IPC分类号 ：
H01B1/14 C09D5/24 H05K1/09 C04B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B1/00
按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择
H01B1/14
分散在不导电无机材料中的导电材料
法律状态
2010-05-12 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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