厚膜电阻及其制法、厚膜电阻用玻璃组合物及厚膜电阻膏
专利权的视为放弃
摘要
本发明涉及不含铅、温度特性(TCR)优良的厚膜电阻。其为在玻璃中分散有导电性材料的厚膜电阻，玻璃中含有贵金属元素。贵金属元素例如为Ag或者Pd。玻璃中所含有的贵金属元素的含量为小于等于10质量％。为了在玻璃中导入贵金属，将贵金属作为添加物来添加，控制烧成厚膜电阻时的烘焙时间、冷却速度。或者在厚膜电阻膏中使用预先溶入贵金属元素的玻璃组合物。
基本信息
专利标题 ：
厚膜电阻及其制法、厚膜电阻用玻璃组合物及厚膜电阻膏
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825504A
申请号 ：
CN200610008343.8
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
五十岚克彦田中博文
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200610008343.8
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 H01B1/14 C03C3/00 H01C17/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2010-03-10 ：
专利权的视为放弃
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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