用红外线炉制造铜厚膜导体的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
向用红外线或近红外线辐射源加热的炉中加水，用于焙烧厚膜电元件，使制成的元件具有理想的物理性能，电性能和表面清洁度。
基本信息
专利标题 ：
用红外线炉制造铜厚膜导体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035396A
申请号 ：
CN88107587.6
公开（公告）日 ：
1989-09-06
申请日 ：
1988-09-24
授权号 ：
CN1010448B
授权日 ：
1990-11-14
发明人 ：
小爱德华·安德鲁·海德克戴维·罗伯特·塔什勒沃尔特·弗朗西斯·耶斯特
申请人 ：
气体产品与化学公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
罗才希
优先权 ：
CN88107587.6
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H05K3/12 B05D3/02 B05D5/12
法律状态
1995-11-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-07-31 ：
授权
1990-11-14 ：
审定
1989-09-06 ：
公开
1989-08-23 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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