导体层的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种图案化导体层的制造方法，首先于基底上形成一层至少包含铝铜合金的导体层。然后，对此导体层进行一热处理工艺，将导体层加热至大于相变温度。接着再图案化导体层。此方法可以避免金属析出物的形成，有助于后续蚀刻工艺的进行。
基本信息
专利标题 ：
导体层的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941320A
申请号 ：
CN200510108841.5
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄建欣颜文彬
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510108841.5
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/3205 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-11-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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