半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。一介电层位于具有一导体区的一半导体基底上，上述介电层的介电常数小于3.9。一氧碳化硅层位于上述介电层上、与一氧氮化硅层位于上述氧碳化硅层上。一导体层则嵌于上述氧氮化硅层、上述氧碳化硅层、与上述介电层中，并电性连接上述导体区。本发明所述的半导体装置及其制造方法，不但具有高速的性能，亦具有非常高的可靠度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822329A
申请号 ：
CN200510125714.6
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘重希
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510125714.6
主分类号 ：
H01L21/314
IPC分类号 ：
H01L21/314 H01L21/768 H01L23/52
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
法律状态
2008-02-27 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1822329A.PDF
PDF下载
