半导体装置及半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体装置，在使侧面露出地布图的第1半导体层(3)上，选择外延生长形成第2半导体层(5)，对第2半导体层(5)的表面进行热氧化，从而在第2半导体层(5)的表面形成栅极绝缘膜(6)后，介有第2半导体层(5)的侧壁地在绝缘层(2)上形成跨越第2半导体层(5)之上地配置的栅电极(7)，从而使第2半导体层(5)的侧壁具有沟道。一面抑制沟道区域的损伤，一面使半导体层的侧壁具有沟道。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828943A
申请号 ：
CN200610051457.0
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加藤树理
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610051457.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2015-04-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605905023
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100514570
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20140228
号牌文件序号 : 101605905023
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006100514570
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20140228
2009-01-07 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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