半导体装置及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于基区的上方；多个沟槽部，其在半导体基板的正面侧沿预先确定的排列方向排列；沟槽接触部，其在多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间，设置于半导体基板的正面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于沟槽接触部的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，沟槽接触部的下端比发射区的下端深，在沟槽接触部的侧壁，发射区与接触层接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503280A
申请号 ：
CN202180005621.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
原田祐一野口晴司小宫山典宏伊仓巧裕樱井洋辅
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
包跃华
优先权 ：
CN202180005621.7
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/417 H01L21/331
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20210308
申请日 : 20210308
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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