半导体装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
根据本发明的一方面，公开了一种半导体装置，其包含半导体衬底；和形成在该半导体衬底上的、P－沟道MOS晶体管的栅绝缘膜。所述栅绝缘膜具有氧化物薄膜(SiO2)，和包含硼原子和氮原子的防扩散薄膜(BN)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819261A
申请号 ：
CN200610006810.3
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松下大介村冈浩一中崎靖加藤弘一清水敬
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
于辉
优先权 ：
CN200610006810.3
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 H01L29/78 H01L21/283 H01L21/336 H01L21/314
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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