半导体装置的制造方法和半导体装置
公开
摘要
本发明提供半导体装置的制造方法和半导体装置来抑制空隙的产生。在半导体装置的制造方法中包括下述的成型工序，即：将成型树脂原料(62)从注入口(84a)～(84c)注入到型腔(83)内，以成型树脂原料(62)填充型腔(83)内，从排出口(87a)将过剩的成型树脂原料(62)排出而将配置有半导体芯片(21)和控制IC(50h)的金属板封装。在这样地制造的半导体装置中，至少抑制在半导体芯片(21)和控制IC(50h)的周边区域产生空隙。因此，能够在半导体装置中抑制放电的产生而防止半导体装置的可靠性的降低。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法和半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361046A
申请号 ：
CN202110966644.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-08-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
东展弘古田旭
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
周春燕
优先权 ：
CN202110966644.6
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L23/31 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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