半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明的目的在于不改变传递模的电力用半导体装置的整体的大小就可使散热性提高。半导体装置备有：具有第1主面(16)与第2主面(18)的金属块(4)；形成于上述第1主面(16)上的凹部(20、22、24)；在上述凹部的内侧固定于上述金属块(4)上的半导体元件(6)；与上述第1主面(16)接触并将上述第1主面(16)覆盖的第1绝缘层(38)；与上述第2主面(18)接触并将上述第2主面(18)覆盖的第2绝缘层(38)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790692A
申请号 ：
CN200510118643.7
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
筱原利彰
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
温大鹏
优先权 ：
CN200510118643.7
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2010-03-17 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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