半导体装置和制造半导体装置的对应方法
实质审查的生效
摘要
根据本公开的各实施例涉及半导体装置和制造半导体装置的对应方法。封装半导体装置包括基板，基板具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。至少一个半导体裸片被安装在基板的第一表面处。导电引线被布置在基板周围，并且导电结构将至少一个半导体裸片耦合到导电引线的被选择的引线。封装模制材料被模制到至少一个半导体裸片上、导电引线上和导电结构上。封装模制材料使基板的第二表面未被封装模制材料覆盖。基板由电绝缘材料层形成。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和制造半导体装置的对应方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334933A
申请号 ：
CN202111150863.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·蒂齐亚尼
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202111150863.3
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/498 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20210929
申请日 : 20210929
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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