半导体器件及其对应方法
公开
摘要
本公开的实施例涉及半导体器件及其对应方法。半导体裸片安装在包括导电焊球阵列的焊球栅格阵列封装的裸片区域。电源通道将电源电流传送到半导体裸片。电源通道由在封装外围的远端和裸片区域的近端之间在纵向方向上延伸的导电连接平面层形成。所述导电焊球沿纵向分布。导电连接平面层包括在分布的相邻导电焊球之间纵向上的后续部分。后续部分的相应电阻值从远端到近端单调地减小。因此有助于电源电流在电源通道长度上的均匀分布。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其对应方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582824A
申请号 ：
CN202111446692.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·索玛A·桑纳D·哈利茨基
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
黄海鸣
优先权 ：
CN202111446692.9
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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