半导体器件以及对应的布局图的生成方法
授权
摘要
本发明的实施例提供了一种半导体器件以及对应的布局图的生成方法。在至少一个单元区域中，半导体器件包括鳍和至少一个上面的栅极结构。鳍(伪和有源)基本平行于第一方向。每个栅极结构基本平行于第二方向(第二方向基本垂直于第一方向)。第一和第二有源鳍具有相应的第一和第二导电类型。相对于第二方向，每个单元区域均包括：第一有源区域，其包括位于单元区域的中心部分中的三个或多个连续的第一有源鳍的序列；第二有源区域，其包括位于第一有源区域和单元区域第一边缘之间的一个或多个第二有源鳍；以及第三有源区域，其包括位于第一有源区域和单元区域的第二边缘之间的一个或多个第二有源鳍。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件以及对应的布局图的生成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110729287A
申请号 ：
CN201910567611.7
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2019-06-27
授权号 ：
CN110729287B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
杨荣展江庭玮庄惠中鲁立忠田丽钧
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201910567611.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/088 G06F30/392
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20190627
申请日 : 20190627
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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