用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法
授权
摘要
一种半导体器件包括有源区域，所述有源区域在第一方向上延伸；第一晶体管，所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域，所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处；第二晶体管，所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域，所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处；以及第三晶体管，所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域，所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处，并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。
基本信息
专利标题 ：
用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107039070A
申请号 ：
CN201710061158.3
公开（公告）日 ：
2017-08-11
申请日 ：
2017-01-25
授权号 ：
CN107039070B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
白尚叶金兑衡文大英徐东旭李仁学崔贤洙宋泰中崔在承姜贞明金训柳志秀张善泳
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN201710061158.3
主分类号 ：
G11C11/418
IPC分类号 ：
G11C11/418 G11C11/419 H01L27/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
G11C11/418
寻址电路
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2018-12-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/418
申请日 : 20170125
申请日 : 20170125
2017-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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