一种用于制造嵌入闪存器件的集成电路器件如闪存器件的方法。提供半导体衬底，形成覆盖在存储单元区域上具有第一厚度的第一电介质层和覆盖在外周区域上具有第二厚度的第二电介质层。形成覆盖第一电介质层的衬垫氧化物层，并形成覆盖衬垫氧化物层的氮化物层。图案化氮化物层以暴露外周区域中的第一沟槽区域，并暴露存储单元区域中的第二沟槽区域，同时保持第一电介质层的一部分。在第一沟槽区域中形成具有第一深度的第一沟槽结构，同时第一电介质层的部分保护第二沟槽区域。去除部分第一电介质层以暴露第二沟槽区域。使第一沟槽区域和第二沟槽区域经受蚀刻过程以从第一深度至第二深度继续形成第一沟槽结构，并在第二沟槽区域内形成具有第三深度的第二沟槽结构。第三深度小于第二深度。