嵌入式闪存、半导体器件结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种嵌入式闪存、半导体器件结构及其制备方法，器件结构包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱区，位于第一导电类型衬底中；第一导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内；栅极结构，位于第一导电类型阱区上，包括栅介质层以及位于栅介质层上的第一导电类型的多晶硅层；第二导电类型源区，位于第一导电类型阱区内，且位于栅极结构的两侧；第一导电类型接触区，位于第一导电类型阱区内，并位于第二导电类型源区外侧；第二导电类型接触区，位于第二导电类型阱区内。本发明可以有效提高器件的开关速度，且具有较小的功耗，可以将嵌入式闪存的功耗降低至100μA/MHZ以下，读取速度提高至30nS以上。
基本信息
专利标题 ：
嵌入式闪存、半导体器件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335182A
申请号 ：
CN202210218189.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈安星张有志乔学军
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202210218189.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336 H01L27/11517
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220308
申请日 : 20220308
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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