敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件。其中，敏感器件结构的制备方法，包括：于衬底上敏感材料层，且于敏感材料层上形成图形化掩膜层；在第一刻蚀气体下，基于图形化掩膜层对敏感材料层进行主刻蚀，以形成器件敏感层，第一刻蚀气体包括第一氟化物气体与侧壁保护气体，第一刻蚀气体中的侧壁保护气体不超过第一氟化物气体体积占比的5％；去除图形化掩膜层；于器件敏感层上形成钝化保护层。本申请能有效减少敏感器件结构中的聚合物残渣，进而提高敏感器件性能。
基本信息
专利标题 ：
敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551209A
申请号 ：
CN202210174525.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张彰谢红梅陈毓潇徐军赵佳王俊力宋健
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭凤杰
优先权 ：
CN202210174525.1
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L31/08 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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