MEMS器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了MEMS器件及其制备方法，属于传感器技术领域，包括：支撑结构、位于支撑结构上的器件结构和位于器件结构上的盖顶结构；支撑结构、器件结构和盖顶结构形成一体式结构；一体式结构中包括至少两个腔体；至少一个腔体包括气孔，腔体通过气孔与外界连通；气孔包括相互连通的第一开孔和第二开孔，第一开孔的孔径等于或者大于第二开孔的孔径，本发明通过至少两个开孔实现了不同真空度腔体。本发明MEMS器件的制备方法，一个腔体真空度为初始真空度；另一个腔体的真空度为将该腔体开孔后，再进行重密封开孔后环境的真空度，使MEMS器件真空度发生改变，实现小孔径的同时避免深刻蚀无法刻深宽比100：1以上的硅通孔的问题，实现深刻蚀。
基本信息
专利标题 ：
MEMS器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114455537A
申请号 ：
CN202210363137.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-04-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄瑞芬
申请人 ：
苏州敏芯微电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城NW09-102
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄威
优先权 ：
CN202210363137.8
主分类号 ：
B81B7/02
IPC分类号 ：
B81B7/02 B81C1/00 B81C3/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81B 7/02
申请日 : 20220408
申请日 : 20220408
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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