HBT器件及其制备方法
公开
摘要
一种HBT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该HBT器件的制备方法包括：提供一衬底，衬底包括有源区和位于有源区之外的无源区；在有源区形成HBT器件的主动器件，并在无源区形成焊盘，以得到第一器件；在第一器件上形成钝化层，并刻蚀位于无源区的钝化层，以形成露出焊盘的第一窗口；在钝化层上形成种子层，种子层通过第一窗口与焊盘接触连接；在种子层上涂覆光刻胶层，并刻蚀位于无源区内的光刻胶层，以形成露出种子层的第二窗口；通过电镀工艺在第二窗口内形成电镀金属层，并在电镀金属层上蒸镀顶层金属层；去除光刻胶层；去除露出的种子层。该HBT器件的制备方法能够减少HBT器件的制备工序、提高制备效率。
基本信息
专利标题 ：
HBT器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582745A
申请号 ：
CN202210216077.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈东坡黄治浩魏鸿基郭佳衢
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔熠
优先权 ：
CN202210216077.7
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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