发光器件及其制备方法

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摘要

本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种发光器件的制备方法，包括步骤：在阴极和量子点发光层之间制备复合过渡层；所述复合过渡层包括：设置在靠近所述阴极一侧的第一过渡层，所述第一过渡层包括金属卤化物；设置在所述第一过渡层远离所述阴极一侧表面的第二过渡层，所述第二过渡层包括卤化氢；以及设置在所述第二过渡层远离所述第一过渡层一侧表面的第三过渡层，所述第三过渡层包括酯类化合物；在所述量子点发光层远离所述阴极的一侧表面制备阳极，得到发光器件。

基本信息

专利标题：

发光器件及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113937227A

申请号：

CN202010672355.0

公开（公告）日：

2022-01-14

申请日：

2020-07-14

授权号：

CN113937227B

授权日：

2022-05-31

发明人：

宋音洁张建新杨一行

申请人：

TCL科技集团股份有限公司

申请人地址：

广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司

代理人：

曹柳

优先权：

CN202010672355.0

主分类号：

H01L51/50

IPC分类号：

H01L51/50 H01L51/56