环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备
授权
摘要
本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，其中，环栅器件的源漏制备方法，包括：在基底上形成鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极单元，所述鳍片包括交替层叠的预备沟道层与预备牺牲层；所述伪栅极单元的数量为多个，多个所述伪栅极单元沿所述预备沟道层的沟道方向依次分布；刻蚀掉相邻两个伪栅极单元之间的预备牺牲层部分；对相邻两个伪栅极单元之间的预备沟道层部分进行刻蚀减薄，并保留部分沟道层材料作为种子层；基于所述种子层，外延源漏的锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
基本信息
专利标题 ：
环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113284806A
申请号 ：
CN202110538164.X
公开（公告）日 ：
2021-08-20
申请日 ：
2021-05-18
授权号 ：
CN113284806B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘桃徐敏张卫汪大伟王晨陈鲲杨静雯孙新潘哲成吴春蕾徐赛生尹睿
申请人 ：
复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐海晟
优先权 ：
CN202110538164.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/08
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-09-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20210518
申请日 : 20210518
2021-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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