复合栅IGBT器件结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种复合栅IGBT器件结构及其制备方法，复合栅IGBT器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底，其具有相对设置的上表面和下表面；第二导电类型的体区，形成于半导体衬底的上表面一侧；第一导电类型的阱区，形成于体区中；复合栅结构，位于半导体衬底的上表面及内部；复合栅结构包括相连的位于半导体衬底表面的平面栅部分以及位于半导体衬底内部的沟槽栅部分。本发明通过引入具有平面栅部分和沟槽栅部分的复合栅结构，将平面栅结构和沟槽栅结构同时引入IGBT的元胞，以在确保IGBT沟道密度和电流密度大的同时，增强IGBT器件的频率特性和抗短路能力。
基本信息
专利标题 ：
复合栅IGBT器件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464675A
申请号 ：
CN202111663817.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯晓伟柴展
申请人 ：
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢炳琼
优先权 ：
CN202111663817.3
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/423 H01L21/331
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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