复合终端结构及其制备方法

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摘要

本申请公开一种复合终端结构及其制备方法，该复合终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P‑型半导体VLD区的一侧面与P型半导体场限环的部分另一侧面共面，N+型半导体场限环的另一侧面与所述N‑型半导体漂移区的另一侧面齐平；P‑型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；一个或间隔的多个第一场板，自P‑型半导体VLD区的上表面向外延伸，第一场板覆盖绝缘介质层的部分上表面并填充接触孔。相对于传统VLD终端，本申请可实现在高温下可靠性更好，不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。

基本信息

专利标题：

复合终端结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113314599A

申请号：

CN202110695000.8

公开（公告）日：

2021-08-27

申请日：

2021-06-22

授权号：

CN113314599B

授权日：

2022-04-15

发明人：

李伟聪林泳浩姜春亮王雯沁

申请人：

珠海市浩辰半导体有限公司

申请人地址：

广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司

代理人：

刘自丽

优先权：

CN202110695000.8

主分类号：

H01L29/40

IPC分类号：

H01L29/40 H01L29/06