一种复合场限环终端结构及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种复合场限环终端结构及制备方法，复合场限环终端结构包括元胞区和元胞区外围的终端区，元胞区和终端区包括相同的衬底和在衬底上生长形成的外延层，在终端区中，外延层远离衬底的一侧设置有第一场限环设计层和第二场限环设计层，第一场限环设计层和第二场限环设计层呈上下两层设置于外延层中，各场限环设计层均包括若干场限环单元，且第二场限环设计层中各场限环单元，对应设置于第一场限环设计层中相邻场限环单元之间；本发明提供的具有体内复合的多段场限环的终端结构，不仅可以实现更理想的HTRB可靠性跟良率稳定性，还可以实现更均匀性的电场强度，得到在相同耐压的条件下更小的环区面积，降低芯片成本，提高产品竞争力。
基本信息
专利标题 ：
一种复合场限环终端结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335141A
申请号 ：
CN202111565959.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜蕾张学强温正欣喻双柏和巍巍汪之涵
申请人 ：
深圳基本半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
代理机构 ：
深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖厚琪
优先权 ：
CN202111565959.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/40 H01L21/265
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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