埋层终端结构及其制备方法
授权
摘要
本申请公开一种埋层终端结构及其制备方法，其中，埋层终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体埋层和N+型半导体场限环，P‑型半导体埋层中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；绝缘介质层，设于N‑型半导体漂移区的上表面，分别与P型半导体场限环的部分上表面、P‑型半导体埋层的部分上表面和N+型半导体场限环的部分上表面接触，与P‑型半导体埋层的接触区设有接触孔；第一场板，通过接触孔与P‑型半导体埋层接触。本申请可以使埋层终端结构在高温下不容易击穿，可靠性和稳定性更好。
基本信息
专利标题 ：
埋层终端结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113314600A
申请号 ：
CN202110695201.8
公开（公告）日 ：
2021-08-27
申请日 ：
2021-06-22
授权号 ：
CN113314600B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
李伟聪林泳浩姜春亮王雯沁
申请人 ：
珠海市浩辰半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘自丽
优先权 ：
CN202110695201.8
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/06
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-09-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20210622
申请日 : 20210622
2021-08-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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