绝缘体结构上的硅互联埋层
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
用于在一工艺中形成互联的改进工艺，其中再结晶的多硅层是形成在一绝缘层上，并通过形成在绝缘层上的几个种窗产生再结晶。在衬底上形成一掺杂区之后淀积多晶硅层。在绝缘层上通过窗口致少使掺杂区的一部与多晶硅层联接。通过该窗口发生再结晶，例如掺杂区被电气联接到形成在再结晶层上的半导体器件的源区和漏区。
基本信息
专利标题 ：
绝缘体结构上的硅互联埋层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102300A
申请号 ：
CN86102300.5
公开（公告）日 ：
1987-02-25
申请日 ：
1986-04-01
授权号 ：
CN1008578B
授权日 ：
1990-06-27
发明人 ：
J·C·郑
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州圣克拉拉鲍尔斯街3065号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN86102300.5
主分类号 ：
H01L21/74
IPC分类号 ：
H01L21/74 H01L21/90
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/74
杂质高度集中的埋层的制作，例如集电极埋层、内部连接线
法律状态
2001-11-21 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-03-13 ：
授权
1990-06-27 ：
审定
1988-11-02 ：
实质审查请求
1987-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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