具有低k介质埋层的SOI结构及其功率器件
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明属于半导体功率器件技术领域。与常规具有介质埋层的SOI功率器件相比，具有低介电系数介质埋层的SOI功率器件结构采用了低k(介电系数)材料，并且具有VLkSOI、Lk SOI、VLk PSOI和Lk PSOI功率器件四种结构。其实质是利用埋层介质的低k特性提高埋层纵向电场强度，突破习用SiO2埋层的电场为Si层电场3倍的关系；利用变k埋层界面处的附加场调制Si有源层电场，二者均使器件耐压提高。同时，埋层的低介电系数使漂移区－衬底间电容降低，可提高器件的开关速度。利用本发明提供的低k介质埋层SOI结构，可以制作出性能优良的各类新结构高耐压器件，如：横向双扩散场效应晶体管、横向绝缘栅双极型功率晶体管、PN二极管、横向晶闸管等功率器件。
基本信息
专利标题 ：
具有低k介质埋层的SOI结构及其功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1845332A
申请号 ：
CN200610020531.2
公开（公告）日 ：
2006-10-11
申请日 ：
2006-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗小蓉李肇基张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
610054四川省成都市建设北路二段4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610020531.2
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/06 H01L29/78 H01L29/786 H01L29/739 H01L29/74 H01L29/861
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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