功率器件封装结构

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摘要

本实用新型涉及半导体器件加工工艺技术领域，尤其涉及一种功率器件封装结构，包括芯片、引线框架、铜片和环氧树脂封装体，引线框架包括引脚区和基岛区，芯片设置于基岛区上，环氧树脂封装体全包裹芯片和基岛区，部分包裹引脚区，芯片具有第一键合区和第二键合区，第二键合区表面设置有键合点，铜片的一端通过焊接材料焊接于键合点上，另一端焊接于引脚区上，环氧树脂封装体全包裹或者部分包裹铜片；本案通过在功率器件的第二键合区上设置键合点，实现铜片引线与芯片的连接，铜片不仅能够增加接触面积，大幅降低功率器件的热阻和温升，而且能够有效提升芯片封装最大熔断电流，降低器件导通电阻，最大限度发挥芯片实际电流能力，提高器件的可靠性。

基本信息

专利标题：

功率器件封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020505188.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-08

授权号：

CN211350630U

授权日：

2020-08-25

发明人：

朱袁正朱久桃胡伟叶美仙

申请人：

无锡电基集成科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区研发二路以南、研发一路以东

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

朱晓林

优先权：

CN202020505188.6

主分类号：

H01L23/482

IPC分类号：

H01L23/482 H01L23/488 H01L23/49 H01L23/498 H01L23/31