功率器件的封装方法
申请的撤回
摘要
功率器件的封装方法，是为解决功率器件抗烧毁用的。与传统的功率器件封装方法相比，本发明的特征在于：在管壳内充以高热导率的流体，或者也可以在芯片表面涂敷高热导率的薄膜。这种封装方法具有热导率高、抗电穿能力强、可防止由于内部引线断裂或金属残余物引起的瞬时短路等优点。
基本信息
专利标题 ：
功率器件的封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85106739A
申请号 ：
CN85106739
公开（公告）日 ：
1986-02-10
申请日 ：
1985-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高光渤
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市东郊九龙山
代理机构 ：
北京工业大学专利代理事务所
代理人 ：
楼艮基
优先权 ：
CN85106739
主分类号 ：
H01L21/54
IPC分类号 ：
H01L21/54 H01L21/56 H01L23/28 H01L23/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/54
在容器中填料，例如气体填料
法律状态
1988-05-11 ：
申请的撤回
1986-02-10 ：
公开
1986-01-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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