MOSFET功率器件及其形成方法、CSP封装模块
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种MOSFET功率器件及其形成方法、CSP封装模块。器件包括在半导体基底上的第一层间介质层中设置的下插塞和在第二层间介质层中设置的上插塞，在栅极沟槽之间的间隙的长度方向上，多个上插塞交错设置，至少一对相邻的源插塞通过相应的上插塞分别连接第一源电极和第二源电极。由于分别连接所述第一源电极和所述第二源电极的相邻两源插塞之间的距离较小，在进行CSP封装并导通时，一个源电极引入的漏端电流可沿着基底内的导通路径流动到另一个源电极，该导通路径的电阻较小，使得器件的总导通电阻较小，并且对芯片厚度和背面金属厚度要求低，不增加工艺难度，可以节约成本。
基本信息
专利标题 ：
MOSFET功率器件及其形成方法、CSP封装模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496987A
申请号 ：
CN202210401232.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲁明杰梁卉荣陈一丛茂杰
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210401232.2
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L29/417 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/768 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20220418
申请日 : 20220418
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
