一种功率器件封装结构
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种功率器件封装结构，包括载片台，所述载片台上端架设有散热框架，在所述散热框架和载片台之间形成有散热腔室，在所述载片台的中心位置设置有芯片沉台，在所述载片台上围绕芯片沉台设置有若干安装凹槽，在所述安装凹槽内设置有定位凹槽；所述散热框架包括顶端散热片，在所述顶端散热片周边连接有若干支脚，且所述支脚上设置有与定位凹槽相对应的定位块；通过架设在载片台上的散热框架以及在载片台和散热框架之间形成的散热腔室，有效提高了封装结构的散热效率以及塑封体与框架的结合力，以解决现有技术中由于封装结构的全封闭结构而导致封装结构散热效率低，散热性能差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种功率器件封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920718102.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN209544317U
授权日 ：
2019-10-25
发明人 ：
高苗苗
申请人 ：
深圳市冠禹半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区蛇口街道南海大道1052号海翔广场4楼406-410室12-01号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920718102.5
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2019-10-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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