一种倒装功率器件封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种倒装功率器件封装结构，基板顶部贴合有异形导电金属层，并且在异形导电金属层表面有通过热压成型凸起的导电柱，通过导电连接层将异形导电金属层和功率半导体芯片导电连接；功率半导体芯片的顶面成型有铝电极，并且在铝电极上键合有焊接金属球；异形导电金属层和功率半导体芯片表面设有绝缘层，将芯片和导电柱全部密封包裹，导电柱和焊接金属球顶部一部分裸露在绝缘层表面；采用新的贴片封装结构，能够实现功率半导体芯片垂直导电的性能；用料少，单颗封装成本低；使用异形导电金属层的导电柱导通电流，比传统封装结构中焊线工艺电流密度大；采用绝缘材料进行侧边保护，实现工艺简单，用量少，成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装功率器件封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922448547.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN210925986U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
詹创发
申请人 ：
湖北方晶电子科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省宜昌市秭归县茅坪镇建东大道197号
代理机构 ：
东莞市中正知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
侯来旺
优先权 ：
CN201922448547.9
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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