一种大电流功率器件封装结构
授权
摘要

本实用新型涉及一种大电流功率器件封装结构,包括两个对称设置的下引线框,所述下引线框内设有第一凹槽,第一凹槽内设有第一焊接层,两个第一焊接层上方设有芯片,芯片上方设有第二焊接层,所述第二焊接层上方设有上引线框,所述第二焊接层位于上引线框朝向芯片一侧的第二凹槽内,所述下引线框、下引线框、第一焊接层、芯片、第二焊接层和上引线框封装于环氧塑封料块内部,能够及时与外界进行热量交换,增加器件的散热性能。

基本信息
专利标题 :
一种大电流功率器件封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921510397.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-11
授权号 :
CN210516699U
授权日 :
2020-05-12
发明人 :
李国琪
申请人 :
湖北方晶电子科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省宜昌市秭归县茅坪镇建东大道197号
代理机构 :
宜昌市慧宜专利商标代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
夏冬玲
优先权 :
CN201921510397.3
主分类号 :
H01L23/31
IPC分类号 :
H01L23/31  H01L23/49  H01L23/495  H01L23/367  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装,例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-05-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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