一种功率器件的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率器件的封装结构，包括芯片、散热铜台、塑封件、二个引脚、二个支撑块，芯片安装在散热铜台的底面上，引脚呈“倒L型”，二个引脚的上端与芯片电性连接，塑封件将芯片及二个引脚上端的一侧封装在散热铜台的底面上，二个支撑块的上端与散热铜台的一侧弯折连接，二个支撑块的下端面和塑封件的下表面位于同一平面，支撑块、引脚分别位于塑封件的两相反侧。该功率器件的芯片发出的热量不导入PCB板，通过散热铜台直接导入散热器，增强散热效果，引脚采用“倒L型”，当焊接在PCB板时，利用引脚的下端插入PCB板的焊孔上，采用过孔焊接，使功率器件的焊接定位准确，同时，L型结构避免引脚过多占用器件长度，利于电子器件小型化。
基本信息
专利标题 ：
一种功率器件的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122808161.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
CN216528861U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
彭智民李鹏
申请人 ：
南京凌鸥创芯电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市经济技术开发区兴智路兴智科技园C栋1310室
代理机构 ：
广州高炬知识产权代理有限公司
代理人 ：
程文斌
优先权 ：
CN202122808161.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367 H01L23/495 H05K3/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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