氮化镓功率器件封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种氮化镓功率器件封装结构，包括衬底、晶体管、ESD屏蔽层及氢气吸收层；ESD屏蔽层与衬底相接触，形成电连接；晶体管位于衬底表面，且位于ESD屏蔽层和衬底封闭而成的空间内；氢气吸收层位于ESD屏蔽层的内表面，氢气吸收层包括吸氢金属层和位于吸氢金属层上的能渗透氢的保护层。本实用新型利用氢气吸收层对氢的吸收能力是相同体积的硅基吸气剂的25倍，所占体积非常小，方便沉积在各种形状的基体上，不需要进行高温组合固化工艺，也不需要长时间的烘烤等优点，可从封装材料中引出并吸收氢，从而可提高器件的可靠性，且可释放器件在封装过程中产生的静电积累，有助于提高器件贴片封装的静电防护特性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓功率器件封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123017916.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
CN216288437U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
刘煦冉程海英周泽阳
申请人 ：
上海新微半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢炳琼
优先权 ：
CN202123017916.2
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L23/29 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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