氮化镓半导体器件封装件

授权

摘要

本实用新型提供一种氮化镓半导体器件封装件，氮化镓半导体器件封装件包括基板、密封材料和氮化镓半导体器件；基板上设置有源极端子、栅极端子和漏极端子；氮化镓半导体器件包括硅衬底、外延层、源极金属、栅极金属和漏极金属；外延层制作在硅衬底上，源极金属、栅极金属和漏极金属均位于外延层上，硅衬底的背面设置有金属层；硅衬底和外延层上贯穿地设置有穿硅通孔，穿硅通孔内设置有电气互连件，电气互连件将源极金属与金属层电连接，金属层与源极端子电连接；漏极金属连接有第一桥接铜片，第一桥接铜片穿过密封材料后与漏极端子电连接；栅极金属与栅极端子电连接。氮化镓半导体器件封装件采用硅衬底且导热性能好。

基本信息

专利标题：

氮化镓半导体器件封装件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022494737.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-11-02

授权号：

CN213716885U

授权日：

2021-07-16

发明人：

姚卫刚黄敬源

申请人：

英诺赛科（珠海）科技有限公司

申请人地址：

广东省珠海市高新区金园二路39号

代理机构：

珠海智专专利商标代理有限公司

代理人：

薛飞飞

优先权：

CN202022494737.7

主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/367 H01L23/48 H01L29/417 H01L29/267 H01L29/778