DFN封装半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种DFN封装半导体器件，包括位于环氧封装体内的芯片、一端与芯片电连接并分别位于芯片左右两侧的若干个左引脚、右引脚，所述左引脚、右引脚各自的另一端从环氧封装体中延伸出，所述芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离。本实用新型DFN封装半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
DFN封装半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020444915.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-31
授权号 ：
CN211700255U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
彭兴义
申请人 ：
盐城芯丰微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省盐城市大丰区新丰镇梦想大道8号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202020444915.2
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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