半导体器件及包括其的半导体器件封装

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摘要

公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装，器件包括：半导体结构，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层，有源层包括多个阻挡层和阱层，第二导电型半导体层包括第2‑2导电型半导体层、和布置在所述第2‑2导电型半导体层上的第2‑1导电型半导体层，阻挡层、阱层、第2‑2导电型半导体层及第2‑1导电型半导体层包括AlGaN，第2‑2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成，第2‑1导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第一斜率越减少，第2‑2导电型半导体层的铝组成越远离有源层，以第二斜率越减少，第一斜率大于第二斜率。本公开提高光输出。

基本信息

专利标题：

半导体器件及包括其的半导体器件封装

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107799639A

申请号：

CN201710780660.X

公开（公告）日：

2018-03-13

申请日：

2017-09-01

授权号：

CN107799639B

授权日：

2022-05-20

发明人：

吴炫智崔洛俊金炳祚

申请人：

LG伊诺特有限公司

申请人地址：

韩国首尔市

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司

代理人：

张浴月

优先权：

CN201710780660.X

主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/14 H01L33/22 H01L33/32 H01L33/62