氮化镓半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括晶体管、二极管、密封材料、第一电气互连件和第二电气互连件。晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极均位于第一基板的正面。二极管包括第二基板、阳极和阴极，阳极和阴极中的至少一个位于第二基板的正面，第一基板的背面与第二基板的背面粘结固定。密封材料至少部分包裹晶体管和二极管，第一电气互连件将源极与阳极电连接，第二电气互连件将漏极与阴极电连接，第一电气互连件和第二电气互连件两者中的至少一个穿过密封材料。该氮化镓半导体器件能够减小寄生电感和寄生电阻，且能够缩小单颗芯片面积。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020290078.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN211529944U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
姚卫刚
申请人 ：
英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
代理机构 ：
珠海智专专利商标代理有限公司
代理人 ：
薛飞飞
优先权 ：
CN202020290078.2
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L25/18 H01L21/56 H01L21/768 H01L23/31 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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