本实用新型公开了一种氮化镓半导体器件，包括器件本体，器件本体的正面穿插连接有多个连接件，器件本体一侧的四个边角处均穿插连接有第一缓冲垫，四个第一缓冲垫的顶端均穿插连接有缓冲柱，四个缓冲柱的外部均缠绕有第一弹簧，四个缓冲柱的顶端均设有第二缓冲垫，其中两个第二缓冲垫和其中两个第一缓冲垫的一侧均开设有辅助槽，本实用新型一种氮化镓半导体器件，通过设置了第二缓冲垫、第一缓冲垫、支撑架、连接板、限位柱和支撑座，四个第一缓冲垫分别位于四个第二缓冲垫的底部，四个支撑架与四个连接板设置的材质均为硅胶，表面较为柔软，可以对器件本体的表面进行防护，避免了器件本体的表面受到较大的挤压而受损。