氮化镓器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种氮化镓器件，第二半导体衬底的第一表面与源极电性连接，所述第二半导体衬底的第二表面与第一半导体衬底电性连接，所述第二半导体衬底的阻抗小于所述第一半导体衬底的阻抗，由此，所述第二半导体衬底可以作为所述第一半导体衬底中电子的载流通道，从而解决现有技术中衬底电子聚集的问题，避免氮化镓器件发生陷阱效应，提高了氮化镓器件的性能。进一步的，所述载流通道由所述第二半导体衬底形成，其结构简单，由此，所需的制造工艺简便并且可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122604970.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-25
授权号 ：
CN216488068U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
霍炎谢雷谭富耀
申请人 ：
矽磐微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202122604970.0
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L23/48 H01L29/778
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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