一种氮化镓半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供了一种氮化镓半导体器件，本实用新型涉及半导体器件技术领域，一种氮化镓半导体器件，包括管帽和管座，管帽底部焊接有与其相通的金属环，金属环内壁开有螺纹，且金属环左右两侧均贯通有通孔，金属环左右两侧均开有螺纹槽，通孔位于螺纹槽内侧；管座位于金属环底部并与其相接触，且管座上表面固定有螺纹柱，螺纹柱螺纹连接于金属环内部，且螺纹柱左右两侧均开有限位槽；金属环左右两侧均设有套子，套子内均固定有弹簧柱，弹簧柱末端均穿出套子；本实用新型的有益效果在于：有效使得管帽和管座连接更牢固，方便工作人员对管帽和管座进行安装操作，便于工作人员后期对管帽或管座进行更换，无需整体更换，可节约成本。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021898214.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-03
授权号 ：
CN213341074U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
姬龙龙
申请人地址 ：
江西省新余市高新开发区孔目江湿地公园对面华府世家6单元
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021898214.2
主分类号 ：
H01S5/02315
IPC分类号 ：
H01S5/02315 H01S5/02
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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