氮化镓半导体器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种基于氮化镓的半导体肖特基二极管，由以下层制造而成：设置在蓝宝石衬底上厚度为1-6微米之间的n+掺杂氮化镓层；设置在所述n+氮化镓层之上的厚度大于1微米的n-掺杂氮化镓层，经过构图成为多个细长的指状物；设置在n-掺杂氮化镓层上并与之形成肖特基结的金属层。选择优化各层的厚度以及细长指状物的长度和宽度以实现击穿电压大于500伏、电流容量超过1安培的以及正向电压低于3伏的器件。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102751335A
申请号 ：
CN201210216208.8
公开（公告）日 ：
2012-10-24
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱廷刚布赖恩·S.·谢尔顿马莱克·K.·帕比兹马克·戈特弗里德刘琳蔺米兰·波弗里斯迪克迈克尔·墨菲理查德·A.·斯托尔
申请人 ：
电力集成公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京北翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨勇
优先权 ：
CN201210216208.8
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L31/0304 H01L21/329
法律状态
2015-07-01 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101717244700
IPC(主分类) : H01L 29/872
专利申请号 : 2012102162088
申请公布日 : 20121024
号牌文件序号 : 101717244700
IPC(主分类) : H01L 29/872
专利申请号 : 2012102162088
申请公布日 : 20121024
2012-12-19 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101367520675
IPC(主分类) : H01L 29/872
专利申请号 : 2012102162088
申请日 : 20060106
号牌文件序号 : 101367520675
IPC(主分类) : H01L 29/872
专利申请号 : 2012102162088
申请日 : 20060106
2012-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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