氮化镓基化合物半导体器件
专利权的终止
摘要
提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1－x－yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓基化合物半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855562A
申请号 ：
CN200510124621.1
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2005-11-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李成男白好善孙重坤司空坦
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510124621.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L31/00 H01S5/00
法律状态
2016-01-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101640730665
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101246211
申请日 : 20051114
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20141114
号牌文件序号 : 101640730665
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101246211
申请日 : 20051114
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20141114
2013-01-02 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101491229858
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101246211
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121130
号牌文件序号 : 101491229858
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101246211
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121130
2010-06-16 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003018794
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101246211
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20100511
号牌文件序号 : 101003018794
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101246211
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20100511
2009-09-09 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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