一种基于氮化镓的半导体肖特基二极管，由以下层制造而成：设置在蓝宝石衬底上厚度为1－6微米之间的n+掺杂氮化镓层；设置在所述n+氮化镓层之上的厚度大于1微米的n－掺杂氮化镓层，经过构图成为多个细长的指状物；设置在n－掺杂氮化镓层上并与之形成肖特基结的金属层。选择优化各层的厚度以及细长指状物的长度和宽度以实现击穿电压大于500伏、电流容量超过1安培的以及正向电压低于3伏的器件。